MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SUM50010EL-GE3, VDSS 60 V, ID 150 A, Mejora, PowerPAK de 3 pines

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Código RS:
653-150
Nº ref. fabric.:
SUM50010EL-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

150A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SUM50010EL

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00173Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

192nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET Gen IV de Vishay tiene un valor nominal de tensión de fuente de drenaje de 60 V. Dispone de una carga de drenaje de puerta (Qgd) muy baja para minimizar la pérdida de potencia durante la conmutación y es compatible con el manejo de alta corriente de hasta 150 A. Envasado en un D2PAK, es ideal para convertidores dc/dc, accionamientos de motor, gestión de batería y rectificación síncrona secundaria en fuentes de alimentación2.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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