MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Si6423ADQ-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 12.5 A, Mejora, TSSOP de 8 pines
- Código RS:
- 228-2823
- Nº ref. fabric.:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
10,27 €
(exc. IVA)
12,43 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 5530 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,027 € | 10,27 € |
| 100 - 240 | 0,974 € | 9,74 € |
| 250 - 490 | 0,772 € | 7,72 € |
| 500 - 990 | 0,719 € | 7,19 € |
| 1000 + | 0,565 € | 5,65 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 228-2823
- Nº ref. fabric.:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | TSSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 112nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado TSSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 112nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de alimentación de canal P TrenchFET de Vishay se utiliza para interruptor de carga, interruptor de batería y gestión de alimentación.
100 % Rg y UIS probados
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, TSSOP de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, TSOP de 6 pines