MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHG080N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 35 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 228-2863
- Nº ref. fabric.:
- SiHG080N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- SiHG080N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 227W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 227W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conducción y conmutación.
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
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