MOSFET Vishay, N-Canal SiHS90N65E-GE3, VDSS 700 V, ID 85 A, Super-247, Mejora de 3 pines
- Código RS:
- 228-2884
- Nº ref. fabric.:
- SiHS90N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 228-2884
- Nº ref. fabric.:
- SiHS90N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 700 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 85 A | |
| Encapsulado | Super-247 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 900 mV | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 29 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 625 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante, Orificio pasante | |
| Serie | E | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 394 nC | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 700 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 85 A | ||
Encapsulado Super-247 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 900 mV | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 29 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 625 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante, Orificio pasante | ||
Serie E | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 394 nC | ||
The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
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