MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SQW44N65EF-GE3, VDSS 700 V, ID 47 A, Mejora, TO-247AD de 3 pines

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Código RS:
228-2976
Nº ref. fabric.:
SQW44N65EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

47A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

E

Encapsulado

TO-247AD

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

73mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

177nC

Disipación de potencia máxima Pd

500W

Tensión directa Vf

900mV

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 700 V, corriente de drenaje continua de 47 A - SQW44N65EF-GE3


Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para aplicaciones electrónicas exigentes que requieren un manejo de corriente considerable y una resistencia a temperaturas elevadas. Se trata de un dispositivo de mejora de canal N suministrado en un encapsulado TO-247AD de orificio pasante y adecuado para conversión de potencia, accionamientos de motor y entornos de conmutación industrial donde se necesitan componentes compactos y montables.

Características y ventajas:


• El valor nominal de drenaje de 700 V permite diseños de sistemas de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 47 A admite conmutación de carga pesada
• La Rds(on) de 73 mΩ minimiza las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 177 nC reduce las pérdidas de conmutación
• La disipación de potencia máxima de 500 W soporta cargas térmicas elevadas
• El rango de funcionamiento de -55 a 175 °C soporta amplios extremos de temperatura

Aplicaciones


• Apto para fuentes de alimentación de alta tensión e inversores
• Ideal para etapas de accionamiento de motores industriales o de tracción
• Se utiliza para topologías de conmutación dura y de conmutación suave
• Puede utilizarse para electrónica de convertidores de energía renovable
• Adecuado para módulos electrónicos de automoción que requieren AEC-Q101

¿Qué consideraciones de montaje se aplican a este componente?


El dispositivo utiliza un montaje en orificio pasante en un encapsulado TO-247AD, lo que permite un disipador térmico directo con una lengüeta aislada o desnuda adecuada y un montaje roscado convencional para la gestión térmica.

¿Cómo afecta la manipulación de puertas al rendimiento de conmutación?


Con una carga de puerta típica de 177 nC, la selección de controlador de puerta debe proporcionar una corriente de pico suficiente para lograr el dv/dt requerido y minimizar las pérdidas de transición.

¿Qué tensiones térmicas puede tolerar durante el funcionamiento?


El transistor está especificado para funcionar entre -55 °C y 175 °C, por lo que la disposición de la placa de circuito impreso y la refrigeración deben diseñarse para mantener la temperatura de unión dentro de ese rango bajo la disipación nominal.

¿Hay consideraciones de automoción para su uso?


Cumple la certificación AEC-Q101, lo que lo convierte en adecuado para sistemas electrónicos de automoción donde se requiere la certificación especificada.

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