MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQW33N65EF-GE3, VDSS 700 V, ID 34 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 228-2975
- Nº ref. fabric.:
- SQW33N65EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,78 € | 13,56 € |
| 20 - 48 | 5,765 € | 11,53 € |
| 50 - 98 | 5,22 € | 10,44 € |
| 100 - 198 | 4,205 € | 8,41 € |
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- Código RS:
- 228-2975
- Nº ref. fabric.:
- SQW33N65EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 109mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 115nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 109mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 115nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conducción y conmutación.
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
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