MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQW33N65EF-GE3, VDSS 700 V, ID 34 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
228-2975
Nº ref. fabric.:
SQW33N65EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

34A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

E

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

109mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

115nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conducción y conmutación.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

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