MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQW61N65EF-GE3, VDSS 700 V, ID 62 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
228-2979
Nº ref. fabric.:
SQW61N65EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

62A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-247

Serie

E

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

625W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

229nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de automoción Vishay serie E reduce las pérdidas de conducción y conmutación.

MOSFET de diodo de cuerpo rápido con automoción

Tecnología de la serie E de grado

Reducción de trr, Qrr e IRRM

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Pérdidas de conmutación bajas gracias a la reducción de Qrr

Temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Certificación AEC-Q101

Muy baja

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