MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 35 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 228-6536
- Nº ref. fabric.:
- IPP016N08NF2SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 228-6536
- Nº ref. fabric.:
- IPP016N08NF2SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | IPP016N08NF2S | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.1mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 170nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 9.45mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie IPP016N08NF2S | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 170nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 9.45mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IPP016N08NF2S es el MOSFET de alimentación de canal N. La tensión de la fuente de drenaje de este mosfet es de 80 V. Es compatible con una amplia variedad de aplicaciones y la configuración de contactos estándar permite sustitución directa. Este mosfet tiene mayor capacidad de transporte de corriente.
Optimizado para una amplia gama de aplicaciones
Canal N, nivel normal
100 % a prueba de avalancha