MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF8010PBF, VDSS 100 V, ID 80 A, TO-220
- Código RS:
- 257-9326
- Nº ref. fabric.:
- IRF8010PBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,434 € | 7,17 € |
| 50 - 120 | 1,248 € | 6,24 € |
| 125 - 245 | 1,162 € | 5,81 € |
| 250 - 495 | 1,09 € | 5,45 € |
| 500 + | 1,004 € | 5,02 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9326
- Nº ref. fabric.:
- IRF8010PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 81nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 81nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es un mosfet de potencia de canal n simple de 100 V en un encapsulado TO 220. La familia IR mosfet de mosfets de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para facilitar el diseño.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector
Corriente nominal alta