MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 80 A, N, PG-TO-220 de 3 pines

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Código RS:
273-7467
Nº ref. fabric.:
IPP086N10N3GXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PG-TO-220

Serie

OptiMOS-TM3

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

40mm

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, JEDEC1

Altura

1.5mm

Anchura

40 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Este MOSFET está cualificado de acuerdo con JEDEC1 para la aplicación de destino. Se trata de un MOSFET de canal N y sin halógenos de acuerdo con IEC61249 2 21.

Chapado sin plomo

Conformidad con RoHS

Excelente carga de puerta

Resistencia de encendido muy baja

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