MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 165 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- Código RS:
- 229-1807
- Nº ref. fabric.:
- IAUT165N08S5N029ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 1,128 € | 2.256,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 229-1807
- Nº ref. fabric.:
- IAUT165N08S5N029ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 165A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | IAUT | |
| Encapsulado | HSOF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 165A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie IAUT | ||
Encapsulado HSOF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
80 V, canal N, 2,9 mΩ máx., MOSFET de automoción, TOLL, OptiMOSTM-5
Resumen de las características
•Canal N - Modo de mejora
•Calificación AEC
•MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
•Temperatura de funcionamiento de 175 °C
•Producto ecológico (compatible con RoHS)
•RDS(on) ultrabajo
•100 % probado en avalancha