MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUT165N08S5N029ATMA2, VDSS 80 V, ID 165 A, Mejora, HSOF de 8 pines

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Código RS:
229-1808
Nº ref. fabric.:
IAUT165N08S5N029ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

165A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

HSOF

Serie

IAUT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

80 V, canal N, 2,9 mΩ máx., MOSFET de automoción, TOLL, OptiMOSTM-5


Resumen de las características


•Canal N - Modo de mejora

•Calificación AEC

•MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

•Temperatura de funcionamiento de 175 °C

•Producto ecológico (compatible con RoHS)

•RDS(on) ultrabajo

•100 % probado en avalancha

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