MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 24 A, N, TDFN de 8 pines
- Código RS:
- 229-6479
- Nº ref. fabric.:
- NTMT125N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
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- 229-6479
- Nº ref. fabric.:
- NTMT125N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TDFN | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 171W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Altura | 8.1mm | |
| Anchura | 1.1 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TDFN | ||
Serie SUPERFET III | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 171W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 8.1mm | ||
Altura 8.1mm | ||
Anchura 1.1 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie SUPER FET DE ON Semiconductor es un MOSFET de súper unión de alta tensión completamente nuevo que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología Advanced se ha diseñado para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir una velocidad de dv/dt extrema.
Baja capacitancia eficaz de salida
100 % a prueba de avalancha
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Sin plomo
En conformidad con RoHS