MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 16 A, N, TDFN de 8 pines

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Código RS:
229-6481
Nº ref. fabric.:
NTMT190N65S3H
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TDFN

Serie

SUPERFET III

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

129W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

8.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.1 mm

Longitud

8.1mm

Estándar de automoción

No

La serie SUPER FET DE ON Semiconductor es un MOSFET de súper unión de alta tensión completamente nuevo que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología Advanced se ha diseñado para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir una velocidad de dv/dt extrema.

Baja capacitancia eficaz de salida

100 % a prueba de avalancha

Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento

Sin plomo

En conformidad con RoHS

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