MOSFET, Tipo N-Canal Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 25 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines

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Código RS:
234-7154
Nº ref. fabric.:
RJK0651DPB-00#J5
Fabricante:
Renesas Electronics
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Marca

Renesas Electronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-669

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia simple de canal N Renesas Electronics es adecuado para aplicaciones de conmutación e interruptor de carga. Tiene una alta tensión de ruptura de 60 V. Es capaz de accionamiento de puerta de 4,5 V.

Conmutación de alta velocidad

Corriente de accionamiento baja

Montaje de alta densidad

Baja resistencia

Sin plomo

Libre de halógenos

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