MOSFET, Tipo N-Canal Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines
- Código RS:
- 234-7157
- Nº ref. fabric.:
- RJK0656DPB-00#J5
- Fabricante:
- Renesas Electronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,206 € | 11,03 € |
| 50 - 95 | 1,896 € | 9,48 € |
| 100 - 245 | 1,612 € | 8,06 € |
| 250 - 995 | 1,574 € | 7,87 € |
| 1000 + | 1,382 € | 6,91 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 234-7157
- Nº ref. fabric.:
- RJK0656DPB-00#J5
- Fabricante:
- Renesas Electronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Renesas Electronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-669 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Renesas Electronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-669 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia única de canal N de Renesas Electronics es adecuado para aplicaciones de conmutación y conmutación de carga. Tiene una alta tensión de ruptura de 60 V. Es capaz de accionar una puerta de 4,5 V.
Conmutación de alta velocidad
Corriente de accionamiento baja
Montaje de alta densidad
Baja resistencia de conexión
Sin plomo
Sin halógenos
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