MOSFET, Tipo N-Canal ROHM R6504END3TL1, VDSS 650 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.567,50 €

(exc. IVA)

1.897,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponibilidad de stock no accesible
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,627 €1.567,50 €

*precio indicativo

Código RS:
235-2680
Nº ref. fabric.:
R6504END3TL1
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.05Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

58W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.4mm

Anchura

2.4 mm

Altura

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie ROHM R6xxxENx son productos de bajo nivel de ruido, MOSFET de súper unión, que hacen hincapié en la facilidad de uso. Esta serie de productos alcanza un rendimiento superior para aplicaciones sensibles al ruido para reducir el ruido, como equipos de audio e iluminación.

Baja resistencia

Velocidad de conmutación rápida

Fácil de usar en paralelo

Chapado sin plomo

En conformidad con RoHS

Enlaces relacionados