MOSFET, N-Canal ROHM SH8KC6TB1, VDSS 60 V, ID 6.5 A, Mejora, SOP de 8 pines

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Código RS:
235-2811
Nº ref. fabric.:
SH8KC6TB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

60 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

6.5 A

Modo de canal

Mejora

Encapsulado

SOP

Número de pines

8

Estándar de automoción

No

Tensión directa (Vf)

1.2 V

Altura

5.2 mm

Longitud

4.05 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

32 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

2 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Superficie

Certificaciones y estándares

No

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

7.6 nC

Anchura

1.75 mm

The ROHM low on-resistance MOSFET Ideal for switching applications. This product includes two 60V MOSFETs in a small surface mount package.

Pb-free plating

Halogen Free

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