MOSFET, Tipo N-Canal ROHM SH8KC6TB1, VDSS 60 V, ID 6.5 A, Mejora, SOP de 8 pines
- Código RS:
- 235-2812
- Nº ref. fabric.:
- SH8KC6TB1
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
7,63 €
(exc. IVA)
9,23 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 02 de diciembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,763 € | 7,63 € |
| 50 - 90 | 0,749 € | 7,49 € |
| 100 - 240 | 0,594 € | 5,94 € |
| 250 - 990 | 0,581 € | 5,81 € |
| 1000 + | 0,408 € | 4,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 235-2812
- Nº ref. fabric.:
- SH8KC6TB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 32mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 5.2mm | |
| Anchura | 1.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 4.05mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 32mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 5.2mm | ||
Anchura 1.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 4.05mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de baja resistencia de conexión ROHM es ideal para aplicaciones de conmutación. Este producto incluye dos MOSFET 60V en un pequeño encapsulado de montaje superficial.
Chapado sin plomo
Sin halógenos
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOP de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOP de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOP de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOP de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SOP de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOP de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOP-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOP-8 de 8 pines