MOSFET, Tipo N-Canal ROHM SH8KC6TB1, VDSS 60 V, ID 6.5 A, Mejora, SOP de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
235-2812
Nº ref. fabric.:
SH8KC6TB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

32mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

5.2mm

Longitud

4.05mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.75mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de baja resistencia de conexión ROHM es ideal para aplicaciones de conmutación. Este producto incluye dos MOSFET 60V en un pequeño encapsulado de montaje superficial.

Chapado sin plomo

Sin halógenos

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