MOSFET, Tipo N-Canal ROHM SH8KC6TB1, VDSS 60 V, ID 6.5 A, Mejora, SOP de 8 pines
- Código RS:
- 235-2812
- Nº ref. fabric.:
- SH8KC6TB1
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
7,63 €
(exc. IVA)
9,23 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 13 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,763 € | 7,63 € |
| 50 - 90 | 0,749 € | 7,49 € |
| 100 - 240 | 0,594 € | 5,94 € |
| 250 - 990 | 0,581 € | 5,81 € |
| 1000 + | 0,408 € | 4,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 235-2812
- Nº ref. fabric.:
- SH8KC6TB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 32mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 4.05mm | |
| Anchura | 1.75 mm | |
| Altura | 5.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 32mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 4.05mm | ||
Anchura 1.75 mm | ||
Altura 5.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de baja resistencia de conexión ROHM es ideal para aplicaciones de conmutación. Este producto incluye dos MOSFET 60V en un pequeño encapsulado de montaje superficial.
Chapado sin plomo
Sin halógenos
Enlaces relacionados
- MOSFET ROHM SH8KC6TB1 ID 6 SOP de 8 pines, 2elementos
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOP de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOP de 8 pines
- MOSFET ROHM RS3L110ATTB1 ID 11 A, SOP de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOP de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOP-8 de 8 pines
- MOSFET ROHM SP8K33HZGTB ID 5 A 2elementos
- MOSFET ROHM SH8JC5TB1 ID 7 SOP de 8 pines, 2elementos
