MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPP330P10NMAKSA1, VDSS 100 V, ID 62 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 235-4860
Nº ref. fabric.:: IPP330P10NMAKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPP330P10NMAKSA1, VDSS 100 V, ID 62 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	2,801 €	140,05 €
100 - 200	2,521 €	126,05 €
250 +	2,381 €	119,05 €

*precio indicativo

Código RS:: 235-4860
Nº ref. fabric.:: IPP330P10NMAKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	62A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	IPP
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	33mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	300W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	-189nC
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	10.36mm
	Altura	4.57mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	15.95 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 62A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado TO-220
	Serie IPP
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 300W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs -189nC
	Tensión directa Vf -1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 10.36mm
	Altura 4.57mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 15.95 mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPP330P10NMAKSA1

Los MOSFET de canal P Infineon OptiMOS™ 100V en encapsulado TO-220 representan la nueva tecnología diseñada para aplicaciones de gestión de batería, conmutación de carga y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Su interfaz sencilla con MCU, conmutación rápida y resistencia a avalancha lo convierten en adecuado para aplicaciones exigentes de alta calidad. Está disponible en el nivel normal con un amplio rango RDS(ON) y mejora la eficiencia con cargas bajas gracias al bajo QG. Se utiliza en gestión de baterías y automatización industrial.

Ideal para frecuencia de conmutación alta y baja

Robustez de avalancha

Encapsulado de montaje superficial de tamaño estándar del sector

Rendimiento sólido y fiable

Aumento de la seguridad del suministro

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPP330P10NMAKSA1, VDSS 100 V, ID 62 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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