- Código RS:
- 235-4880
- Nº ref. fabric.:
- ISP98DP10LMXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)
0,256 €
(exc. IVA)
0,31 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
1000 - 1000 | 0,256 € | 256,00 € |
2000 - 4000 | 0,244 € | 244,00 € |
5000 + | 0,228 € | 228,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 235-4880
- Nº ref. fabric.:
- ISP98DP10LMXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Los MOSFET de canal P Infineon OptiMOS™ de 100V V en encapsulado SOT-223 representan la nueva tecnología diseñada para aplicaciones de gestión de batería, conmutación de carga y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Su interfaz sencilla con MCU, conmutación rápida y resistencia a avalancha lo convierten en adecuado para aplicaciones exigentes de alta calidad. Está disponible en el nivel normal con un amplio rango RDS(ON) y mejora la eficiencia con cargas bajas gracias al bajo QG. Se utiliza en gestión de baterías y automatización industrial.
Ideal para frecuencia de conmutación alta y baja
Robustez de avalancha
Encapsulado de montaje superficial de tamaño estándar del sector
Rendimiento sólido y fiable
Aumento de la seguridad del suministro
Robustez de avalancha
Encapsulado de montaje superficial de tamaño estándar del sector
Rendimiento sólido y fiable
Aumento de la seguridad del suministro
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | P |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 1,55 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
Tipo de Encapsulado | SOT-223 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Número de Elementos por Chip | 1 |
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