Transistor MOSFET Infineon IPN50R3K0CEATMA1, VDSS 500 V, ID 1,7 A, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 244-2264
- Nº ref. fabric.:
- IPN50R3K0CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
393,00 €
(exc. IVA)
477,00 €
(inc.IVA)
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,131 € | 393,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,125 € | 375,00 € |
| 9000 + | 0,117 € | 351,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 244-2264
- Nº ref. fabric.:
- IPN50R3K0CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 1,7 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 1,7 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 500 V | ||
Tipo de Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Los MOSFET de potencia CE CoolMOS™ de Infineon son una plataforma tecnológica de MOSFET de potencia de alta tensión diseñados conforme al principio de superunión (SJ) y concebidos para cumplir los requisitos de los consumidores.
Pérdidas muy bajas gracias a las pérdidas muy bajas de FOM Rdson QG y Eoss.
Resistencia de conmutación muy alta.
Fácil de usar/manejar.
Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos.
Apto para aplicaciones de grado estándar.
Resistencia de conmutación muy alta.
Fácil de usar/manejar.
Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos.
Apto para aplicaciones de grado estándar.