Transistor MOSFET Infineon IPN50R3K0CEATMA1, VDSS 500 V, ID 1,7 A, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
244-2264
Nº ref. fabric.:
IPN50R3K0CEATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1,7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Número de Elementos por Chip

1

Los MOSFET de potencia CE CoolMOS™ de Infineon son una plataforma tecnológica de MOSFET de potencia de alta tensión diseñados conforme al principio de superunión (SJ) y concebidos para cumplir los requisitos de los consumidores.

Pérdidas muy bajas gracias a las pérdidas muy bajas de FOM Rdson QG y Eoss.
Resistencia de conmutación muy alta.
Fácil de usar/manejar.
Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos.
Apto para aplicaciones de grado estándar.

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