MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 6.1 A, SOT-223 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

363,00 €

(exc. IVA)

438,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 28 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 - 30000,121 €363,00 €
6000 - 60000,115 €345,00 €
9000 +0,112 €336,00 €

*precio indicativo

Código RS:
244-2262
Nº ref. fabric.:
IPN50R2K0CEATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Serie

IPN

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de potencia CE CoolMOS™ de Infineon son una plataforma tecnológica de MOSFET de potencia de alta tensión diseñados conforme al principio de superunión (SJ) y concebidos para cumplir los requisitos de los consumidores.

Pérdidas muy bajas gracias a las pérdidas muy bajas de FOM Rdson QG y Eoss.

Resistencia de conmutación muy alta.

Fácil de usar/manejar.

Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos.

Apto para aplicaciones de grado estándar.

Enlaces relacionados