MOSFET, N-Canal Infineon IPN50R2K0CEATMA1, VDSS 75 V, ID 6.1 A, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 244-2263
- Nº ref. fabric.:
- IPN50R2K0CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,407 € | 4,07 € |
| 100 - 240 | 0,385 € | 3,85 € |
| 250 - 490 | 0,378 € | 3,78 € |
| 500 - 990 | 0,353 € | 3,53 € |
| 1000 + | 0,287 € | 2,87 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 244-2263
- Nº ref. fabric.:
- IPN50R2K0CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Serie | IPN | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Serie IPN | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Los MOSFET de potencia CE CoolMOS™ de Infineon son una plataforma tecnológica de MOSFET de potencia de alta tensión diseñados conforme al principio de superunión (SJ) y concebidos para cumplir los requisitos de los consumidores.
Pérdidas muy bajas gracias a las pérdidas muy bajas de FOM Rdson QG y Eoss.
Resistencia de conmutación muy alta.
Fácil de usar/manejar.
Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos.
Apto para aplicaciones de grado estándar.