MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN50R2K0CEATMA1, VDSS 75 V, ID 6.1 A, SOT-223 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
244-2263
Nº ref. fabric.:
IPN50R2K0CEATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

SOT-223

Serie

IPN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de potencia CE CoolMOS™ de Infineon son una plataforma tecnológica de MOSFET de potencia de alta tensión diseñados conforme al principio de superunión (SJ) y concebidos para cumplir los requisitos de los consumidores.

Pérdidas muy bajas gracias a las pérdidas muy bajas de FOM Rdson QG y Eoss.

Resistencia de conmutación muy alta.

Fácil de usar/manejar.

Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos.

Apto para aplicaciones de grado estándar.

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