MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 6.1 A, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 244-2272
- Nº ref. fabric.:
- IPN95R3K7P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 244-2272
- Nº ref. fabric.:
- IPN95R3K7P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 950V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 2mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 950V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 2mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Los MOSFET CoolMOS™ P7 de Infineon Technologies proporcionan la mejor relación precio/rendimiento de su clase con una excelente facilidad de uso para hacer frente a desafíos en diversas aplicaciones. Los MOSFET P7 están completamente optimizados para topologías de conmutación dura y suave.
La mejor energía FOM RDS(on)*(Eoss) de su clase disipada por Coss(capacitancia de salida); Capacitancia de puerta (QG) reducida, capacitancia de entrada y capacitancia de salida
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