MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba T2N7002AK,LM(T, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 236-3584
- Nº ref. fabric.:
- T2N7002AK,LM(T
- Fabricante:
- Toshiba
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 236-3584
- Nº ref. fabric.:
- T2N7002AK,LM(T
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 200mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | T2N7002AK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.2mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.27nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -0.87V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.8mm | |
| Longitud | 2.4mm | |
| Anchura | 2.9 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 200mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie T2N7002AK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.2mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.27nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -0.87V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.8mm | ||
Longitud 2.4mm | ||
Anchura 2.9 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de efecto de campo Toshiba compuesto de material de silicio y con tipo MOS de canal N. Se utiliza principalmente en aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
Rango de temperatura de almacenamiento: −55 a 150 °C.