MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC004NE2LS5ATMA1, VDSS 25 V, ID 479 A, TDSON de 8 pines

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Código RS:
236-3639
Nº ref. fabric.:
BSC004NE2LS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

479A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS™

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.45mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

135nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

188W

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Anchura

6.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.49mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS ofrece soluciones de referencia al permitir la mayor densidad de potencia y eficiencia energética, tanto en modo en espera como en funcionamiento completo. Ofrece resistencia de estado de fuente de drenaje de 0,45 m Ohm.

Más alta eficacia

La densidad de potencia más alta en encapsulado SuperSO8

Reducción de los costes generales del sistema

En conformidad con RoHS

Libre de halógenos

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