MOSFET Infineon BSC050NE2LSATMA1, VDSS 25 V, ID 58 A, PG-TDSON-8-5

Código RS:: 259-1472
Nº ref. fabric.:: BSC050NE2LSATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSC050NE2LSATMA1, VDSS 25 V, ID 58 A, PG-TDSON-8-5

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 5000)

0,334 €

(exc. IVA)

0,404 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
5000 +	0,334 €	1.670,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 259-1472
Nº ref. fabric.:: BSC050NE2LSATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - BSC050NE2LSATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

La familia de productos de 25 V optimos de Infineon, Infineon establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética para MOSFET de potencia discretos y sistema en encapsulado. Carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la resistencia de estado encendido más baja en un tamaño pequeño. Minimiza las EMI en el sistema, lo que hace que las redes de desconexión externas queden obsoletas y que los productos sean fáciles de diseñar.

Ahorre costes generales del sistema reduciendo el número de fases en convertidores multifásicos
Reduce las pérdidas de potencia y aumenta la eficiencia para todas las condiciones de carga
Ahorre espacio con los encapsulados más pequeños como CanPAK, S3O8 o solución de sistema en encapsulado

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	25 V
Tipo de Encapsulado	PG-TDSON-8-5
Tipo de Montaje	Montaje superficial

MOSFET Infineon BSC050NE2LSATMA1, VDSS 25 V, ID 58 A, PG-TDSON-8-5

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