MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD30N03S2L20ATMA1, VDSS 30 V, ID 30 A, N, TDSON

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Código RS:
258-7783
Nº ref. fabric.:
IPD30N03S2L20ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TDSON

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Modo de canal

N

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia OptiMOS de Infineon tiene las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica. Tiene una carga de puerta total optimizada que permite una etapa de salida de controlador más pequeña. También tiene encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.

Certificación AEC Q101 de automoción

MSL1 hasta 260 grados C de reflujo de pico

Temperatura de funcionamiento de 175 grados C

Encapsulado verde

100 % probado en avalancha

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