MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 30 A, N, TDSON
- Código RS:
- 258-7080
- Nº ref. fabric.:
- IPD30N03S2L20ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 258-7080
- Nº ref. fabric.:
- IPD30N03S2L20ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de potencia OptiMOS de Infineon tiene las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica. Tiene una carga de puerta total optimizada que permite una etapa de salida de controlador más pequeña. También tiene encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.
Certificación AEC Q101 de automoción
MSL1 hasta 260 grados C de reflujo de pico
Temperatura de funcionamiento de 175 grados C
Encapsulado verde
100 % probado en avalancha