MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 100 A, N, TDSON de 8 pines

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Código RS:
259-1466
Nº ref. fabric.:
BSC014NE2LSIATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

N

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia de productos de 25 V optimos de Infineon, Infineon establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética para MOSFET de potencia discretos y sistema en encapsulado. La carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la resistencia de encendido más baja en encapsulados pequeños, convierten a optimos de 25 V en la mejor elección para los requisitos exigentes de soluciones de regulador de tensión en aplicaciones de servidores, comunicaciones de datos y telecomunicaciones. Disponible en configuración de medio puente (etapa de potencia 5 x 6). Minimiza las EMI en el sistema, lo que hace que las redes de desconexión externas queden obsoletas y que los productos sean fáciles de diseñar.

Ahorre costes generales del sistema reduciendo el número de fases en convertidores multifásicos

Reduce las pérdidas de potencia y aumenta la eficiencia para todas las condiciones de carga

Ahorre espacio con los encapsulados más pequeños como CanPAK, S3O8 o solución de sistema en encapsulado

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