MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC005N03LS5ATMA1, VDSS 30 V, ID 433 A, TDSON de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

12,06 €

(exc. IVA)

14,595 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 4925 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 452,412 €12,06 €
50 - 1202,174 €10,87 €
125 - 2452,028 €10,14 €
250 - 4951,882 €9,41 €
500 +1,738 €8,69 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
236-3643
Nº ref. fabric.:
BSC005N03LS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

433A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

OptiMOS™

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.5mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

188W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Longitud

5.49mm

Anchura

6.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS ofrece soluciones de referencia al permitir la mayor densidad de potencia y eficiencia energética, tanto en modo en espera como en funcionamiento completo. Ofrece resistencia de estado de fuente de drenaje de 0,55 m Ohm.

Más alta eficacia

La densidad de potencia más alta en encapsulado SuperSO8

Reducción de los costes generales del sistema

En conformidad con RoHS

Libre de halógenos

Enlaces relacionados

Recently viewed