MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R125CFD7ATMA1, VDSS 700 V, ID 19 A, N, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
236-3657
Nº ref. fabric.:
IPB65R125CFD7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

19A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-263

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

N

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de súper unión CoolMOS de Infineon con diodo de cuerpo rápido integrado es la elección perfecta para topologías de alta potencia resonante. Es ideal para aplicaciones industriales, como estaciones de carga de servidores, telecomunicaciones, energía solar y EV, en el que permite mejoras significativas de la eficiencia en comparación con la competencia. Tiene una corriente de drenaje de 15 A.

Excelente resistencia de conmutación dura

Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus

Permite una mayor densidad de potencia

Excelente eficiencia de carga ligera en aplicaciones SMPS industriales

Eficiencia de carga completa mejorada en aplicaciones SMPS industriales

Competitividad de precios en comparación con ofertas alternativas en el mercado

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