MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 22.4 A, N, TO-263

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Código RS:
258-3810
Nº ref. fabric.:
IPB65R150CFDATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

22.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40.7mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El CFD2 CoolMOS de 650 V de Infineon es la segunda generación de MOSFET CoolMOS de alta tensión líderes del mercado con diodo de cuerpo rápido integrado. Los dispositivos CFD2 son el sucesor del CFD de 600 V con eficiencia energética mejorada. El comportamiento de conmutación más suave y, por tanto, un mejor comportamiento EMI proporciona a este producto una ventaja clara en comparación con las piezas de la competencia.

Fácil de diseñar

Precio más bajo en comparación con la tecnología CFD de 600 V

Qoss bajo

Tiempos de retardo de encendido y giro reducidos

Excelente calidad CoolMOS

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