MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPB65R065C7ATMA2, VDSS 700 V, ID 145 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7391
- Nº ref. fabric.:
- IPB65R065C7ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 6,185 € | 12,37 € |
| 10 - 18 | 5,32 € | 10,64 € |
| 20 - 48 | 4,95 € | 9,90 € |
| 50 - 98 | 4,645 € | 9,29 € |
| 100 + | 4,265 € | 8,53 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7391
- Nº ref. fabric.:
- IPB65R065C7ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 145A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 145A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie Infineon Cool MOS C7 de MOSFET de súper unión es un paso adelante revolucionario en tecnología, que proporciona el RDS(on)/encapsulado más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en el rango de carga completa.
Tensión 650V
El mejor R DS(on)/paquete revolucionario de su clase
Energía reducida almacenada en capacitancia de salida (Eoss)
Bajar QG de carga de compuerta
Ahorro de espacio mediante el uso de encapsulados más pequeños o la reducción de piezas
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