MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT030N12N3GATMA1, VDSS 120 V, ID 237 A, HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
236-3669
Nº ref. fabric.:
IPT030N12N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

237A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Encapsulado

HSOF-8

Serie

OptiMOS™

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

158nC

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.4mm

Longitud

10.1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon es la solución ideal para equipos alimentados por batería, con un equilibrio óptimo entre el margen de ruptura de tensión adicional y la baja resistencia de encendido. Se utiliza en vehículos eléctricos ligeros, accionamientos de baja tensión y herramientas alimentadas por batería.

Alta densidad de potencia y gestión térmica mejorada

Se necesita menos espacio en la placa

Alta eficiencia del sistema y menos conexión en paralelo necesaria

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