MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR586DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 78.4 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.638,00 €

(exc. IVA)

1.983,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3000 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,546 €1.638,00 €

*precio indicativo

Código RS:
239-5391
Nº ref. fabric.:
SiR586DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

78.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0058Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

71.4W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.15 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

6.15mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET de Vishay tiene una corriente de drenaje de 78,4 A. Se utiliza en la rectificación síncrona, interruptores de lado primario, convertidores dc/dc e interruptores de accionamiento de motor.

Valor de mérito (FOM) muy bajo RDS x Qg

Ajustado para el mínimo RDS x Qoss FOM

Probado al 100 % Rg y UIS

Enlaces relacionados