MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 48 A, Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

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Código RS:
239-8633
Nº ref. fabric.:
SIHK045N60E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

48A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

E

Encapsulado

PowerPAK 10 x 12

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.043Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

98nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

+150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 48 A - SIHK045N60E-T1-GE3


Este MOSFET de potencia es un dispositivo semiconductor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y gestión de potencia en sistemas eléctricos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para montajes en superficie donde se requiere fiabilidad de nivel de automoción y manejo de alta corriente continua.

Características y ventajas:


• Tensión de drenaje de 650 V que permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • Corriente de drenaje continua de 48 A que admite cargas de corriente pesada • Rds(on) de 0,043 Ω que reduce las pérdidas de conducción bajo carga • Carga de puerta típica de 98 nC que permite requisitos de accionamiento predecibles • Disipación de potencia máxima de 278 W para un manejo térmico sustancial • La certificación AEC-Q101 satisface las necesidades de detección de tensión de automoción

Aplicaciones


• Apto para etapas de control de motores y inversores de tracción en vehículos • Ideal para convertidores de potencia de alta tensión en automatización industrial • Se utiliza para la conversión dc-dc en sistemas eléctricos de alta potencia • Puede utilizarse para fuentes de alimentación de modo conmutado en entornos exigentes

¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta debo admitir?


Diseñar los controladores de puerta para entregar alrededor de la carga típica de 98 nC en el Vgs elegido para garantizar que la velocidad de conmutación cumple la temporización del sistema al tiempo que limita las pérdidas de conmutación.

¿Cómo debe abordarse la gestión térmica en los conjuntos de placas de circuito impreso?


Utilice el encapsulado de superficie PowerPAK 10x12 para la disipación de calor y la provisión de un área de cobre y vias suficientes para disipar hasta 278 W en condiciones de refrigeración definidas.

¿Qué márgenes de tensión son adecuados para el diseño de seguridad?


Seleccione tensiones de funcionamiento del sistema muy por debajo de la tensión nominal máxima de drenaje-fuente de 650 V y limite las excursiones de puerta dentro de la restricción de puerta-fuente de ±30 V.

¿Hay limitaciones de temperatura ambiental para el funcionamiento?


El dispositivo funciona desde una temperatura de unión de -55 °C hasta +150 °C, por lo que la refrigeración y la reducción de potencia del sistema deben tener en cuenta los puntos de funcionamiento de alta temperatura.

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