MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 7.5 A, Mejora, MLPAK33 de 8 pines

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Código RS:
240-1984
Nº ref. fabric.:
PXN018-30QLJ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

MLPAK33

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

12.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N Nexperia en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) MLPAK33 (SOT8002) usando tecnología Trench MOSFET.

Compatibles con nivel lógico

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado MLPAK33 (tamaño de 3,3 x 3,3 mm)

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