MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 15 A, Mejora, MLPAK33 de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

960,00 €

(exc. IVA)

1.170,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 30 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,32 €960,00 €

*precio indicativo

Código RS:
240-1986
Nº ref. fabric.:
PXN4R7-30QLJ
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

MLPAK33

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

12.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N Nexperia en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) MLPAK33 (SOT8002) usando tecnología Trench MOSFET.

Compatibles con nivel lógico

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado MLPAK33 (tamaño de 3,3 x 3,3 mm)

Enlaces relacionados