MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE050N08NM5ATMA1, VDSS 30 V, ID 253 A, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 240-6636
- Nº ref. fabric.:
- IQE050N08NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,855 € | 5,71 € |
| 20 - 48 | 2,57 € | 5,14 € |
| 50 - 98 | 2,405 € | 4,81 € |
| 100 - 198 | 2,255 € | 4,51 € |
| 200 + | 2,085 € | 4,17 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 240-6636
- Nº ref. fabric.:
- IQE050N08NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 253A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | IQE | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.85mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 0.73V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 253A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie IQE | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.85mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 0.73V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La fuente de alimentación Infineon OptiMOSTM 5 de 80 V PQFN 3,3 x 3,3 dispone de 80 V y una baja RDS(on) de 5,0 mOhm. Ofrece varias ventajas, como mayor capacidad térmica, densidad de potencia avanzada o posibilidades de diseño mejoradas. Además, la mayor eficiencia, los requisitos de refrigeración activa reducidos y la disposición eficaz para gestión térmica son ventajas a nivel del sistema.
Pérdidas en PCB mejoradas
Permiten el máximo rendimiento y densidad de potencia