MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 4.5 A, ThinPAK 5x6 de 5 pines
- Código RS:
- 240-8547
- Nº ref. fabric.:
- IPLK80R1K2P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 240-8547
- Nº ref. fabric.:
- IPLK80R1K2P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | ThinPAK 5x6 | |
| Serie | IPL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 43W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6.42mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado ThinPAK 5x6 | ||
Serie IPL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 43W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6.42mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La serie MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 de 800 V de Infineon es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer completamente las necesidades del mercado en cuanto a rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno como adaptador y cargador, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura MOSFET de 2 °C a 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como con piezas de la competencia probadas en aplicaciones de retorno típicas. También permite diseños de mayor densidad de potencia mediante pérdidas de conmutación más bajas y mejores productos DPAK RDS(on). En general, ayuda a los clientes a ahorrar el coste BOM y reducir el esfuerzo de montaje.
FOM RDS(on)*Eoss de la mejor clase; Qg, Ciss y Coss reducidos
DPAK RDS(on) de la mejor clase
V(GS)a de 3 V de la mejor clase y la menor variación V(GS)a de ±0,5 V
Protección contra ESD de diodo Zener integrado
Cartera completamente optimizada
EMI baja
El encapsulado ThinPAK 5x6 se caracteriza por un tamaño muy pequeño de 5 x 6 mm² y un perfil muy bajo con una altura de 1 mm y junto con su referencia de baja parásita, estas características conducen a factores de forma significativamente más pequeños y ayudan a aumentar la densidad de potencia. Esta combinación convierte a CoolMOS™ P7 en ThinPAK 5x6 en un ajuste perfecto para sus aplicaciones de destino.
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