MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, TO-247 de 5 pines
- Código RS:
- 241-0743
- Nº ref. fabric.:
- NTHL045N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 241-0743
- Nº ref. fabric.:
- NTHL045N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | NTHL | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 117W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 105nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie NTHL | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 117W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 105nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
MOSFET de carburo de silicio de canal N de 650 V y 42 mΩ ON Semiconductor. El MOSFET de carburo de silicio (SiC) utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una fiabilidad superior en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de conexión y el tamaño de chip compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen la máxima eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, EMI reducida y tamaño reducido del sistema.
Alta temperatura de unión
conmutación de alta velocidad y baja capacitancia
RDS(on) máx. = 50 mΩ a Vgs = 18 V, Id = 66 A
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