MOSFET Infineon BSC026NE2LS5ATMA1, VDSS 25 V, ID 82 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

Código RS:: 241-9671
Nº ref. fabric.:: BSC026NE2LS5ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSC026NE2LS5ATMA1, VDSS 25 V, ID 82 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

2710 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

1,322 €

(exc. IVA)

1,60 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 - 45	1,322 €	6,61 €
50 - 120	1,19 €	5,95 €
125 - 245	1,112 €	5,56 €
250 - 495	1,032 €	5,16 €
500 +	0,966 €	4,83 €

*precio indicativo

Código RS:: 241-9671
Nº ref. fabric.:: BSC026NE2LS5ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - BSC026NE2LS5ATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de potencia de canal N Infineon OptiMOSTM 5 tiene una tensión de fuente de drenaje (VDS) de 25 V y una corriente de drenaje (ID) de 82 A. Ofrece soluciones de referencia al permitir la máxima densidad de potencia y eficiencia energética, tanto en espera como en funcionamiento completo. Dispone de la mejor resistencia de su clase y tiene un uso más amplio en sobremesa y servidor, regulador de tensión de alta densidad de potencia, etc.

Optimizado para convertidores reductores de alto rendimiento
Resistencia de encendido muy baja RDS(on)@VGS = 4,5V
100 % probado por avalancha
Resistencia térmica superior
Canal N
Calificado según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Revestimiento de cable sin Pb
Cumple con la normativa RoHS
Libre de halógenos según la norma IEC61249-2-21

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	82 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	25 V
Serie	OptiMOS™
Tipo de Encapsulado	SuperSO8 5 x 6
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon BSC026NE2LS5ATMA1, VDSS 25 V, ID 82 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

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Especificaciones

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