MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6, Mejora de 8 pines, 2

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Código RS:
241-9687
Nº ref. fabric.:
IPG20N06S4L14AATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SuperSO8 5 x 6

Serie

IPG20N06S4L-14A

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±16 V

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOSTM-T2 tiene una tensión de fuente de drenaje (VDS) de 60 V y una corriente de drenaje (ID) de 20 A. Se suministra en encapsulado doble SS08 (PG-TDSON-8). Es posible para inspección óptica automática (AOI).

Nivel lógico de doble canal N - Modo de mejora

Calificación AEC Q101

MSL1 hasta 260° C de reflujo máximo

175° C de temperatura de funcionamiento

Producto ecológico (cumple con la directiva RoHS)

Probado al 100% en Avalancha

Apto para la inspección óptica automática (AOI)

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