MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6, N de 8 pines, 2, config. Modo de mejora del nivel

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Código RS:
249-6919
Nº ref. fabric.:
IPG20N06S4L26ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SuperSO8 5 x 6

Serie

OptiMOSTM-T2

Número de pines

8

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±16 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Configuración de transistor

Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El OptiMOS de Infineon es un MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción. El canal de funcionamiento es N. Cuenta con la certificación AEC Q101. MSL1 hasta 260 °C de reflujo máximo. Producto ecológico (conforme con RoHS) y se ha probado 100% con avalancha.

Temperaturas de funcionamiento: 175°C

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