MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG16N10S461ATMA1, VDSS 100 V, ID 16 A, SuperSO8 5 x 6, Doble N de 8 pines, config. Modo

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
243-9342
Nº ref. fabric.:
IPG16N10S461ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SuperSO8 5 x 6

Serie

IPG16N10S4-61

Número de pines

8

Modo de canal

Doble N

Disipación de potencia máxima Pd

29W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.4nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Modo de mejora del nivel normal del canal N doble

Certificaciones y estándares

RoHS, AEC Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de Infineon de nivel lógico normal de canal N doble, calificación AEC Q101 y 100 % probado para avalancha.

Canal N

100 % probado para avalancha

AEC Q101 calificado

MSL1 hasta 260°C de pico de reflujo

Temperatura de funcionamiento 175 °C

Producto verde (conforme a RoHS)

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