MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 16 A, SuperSO8 5 x 6, Doble N de 8 pines, config. Modo de mejora del nivel
- Código RS:
- 243-9341
- Nº ref. fabric.:
- IPG16N10S461ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
1.850,00 €
(exc. IVA)
2.250,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 10.000 unidad(es) más para enviar a partir del 30 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,37 € | 1.850,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 243-9341
- Nº ref. fabric.:
- IPG16N10S461ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | IPG16N10S4-61 | |
| Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Doble N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 29W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Configuración de transistor | Modo de mejora del nivel normal del canal N doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, AEC Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie IPG16N10S4-61 | ||
Encapsulado SuperSO8 5 x 6 | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Doble N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 29W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Configuración de transistor Modo de mejora del nivel normal del canal N doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, AEC Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de Infineon de nivel lógico normal de canal N doble, calificación AEC Q101 y 100 % probado para avalancha.
Canal N
100 % probado para avalancha
AEC Q101 calificado
MSL1 hasta 260°C de pico de reflujo
Temperatura de funcionamiento 175 °C
Producto verde (conforme a RoHS)
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon VDSS 100 V SuperSO8 5 x 6 config. Modo
- MOSFET Infineon VDSS 60 V SuperSO8 5 x 6 2, config. Modo de mejora del nivel
- MOSFET Infineon VDSS 60 V TDSON, config. Modo de mejora del nivel lógico de
- MOSFET Infineon VDSS 60 V TDSON, config. Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N
- MOSFET Infineon VDSS 60 V TDSON config. Modo de mejora del nivel lógico de
- MOSFET Infineon VDSS 60 V SuperSO8 5 x 6 2, config. Modo de
- MOSFET Infineon VDSS 100 V TDSON config. Modo de mejora del nivel lógico
- MOSFET Infineon VDSS 60 V TDSON 2, config. Modo de mejora del nivel lógico