MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ018NE2LSATMA1, VDSS 40 V, ID 212 A, N, PQFN de 8 pines

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Código RS:
241-9697
Nº ref. fabric.:
BSZ018NE2LSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

212A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

BSZ

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon es un MOSFET de canal N que tiene un revestimiento de cable sin Pb. Está optimizado para un convertidor reductor de alto rendimiento.

Resistencia de conexión muy baja

Calificado conforme a JEDEC para aplicaciones de destino

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