MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ039N06NSATMA1, VDSS 40 V, ID 212 A, N, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 241-9705
- Nº ref. fabric.:
- BSZ039N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,11 € | 2,22 € |
| 20 - 48 | 0,895 € | 1,79 € |
| 50 - 98 | 0,84 € | 1,68 € |
| 100 - 198 | 0,785 € | 1,57 € |
| 200 + | 0,74 € | 1,48 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 241-9705
- Nº ref. fabric.:
- BSZ039N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 212A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | BSZ | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 212A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie BSZ | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de potencia Infineon OptiMOS es un MOSFET de canal N que está completamente cualificado según JEDEC para aplicaciones industriales. Presenta una mayor fiabilidad de las juntas de soldadura gracias a la interconexión ampliada de la fuente.
Optimizado para SMPS de alto rendimiento
Resistencia térmica superior